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MEM2302-N

【品牌】:Microne

【单价】:请询价

【库存交期】:20-30天

【最小起订量】:1个

【封装】:SOT23/SOT23-3

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制造商: 南京微盟电子有限公司 标准包装数: 1000
封装: SOT23/SOT23-3 包装: 盒装
类别: 分立器件 » 晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: 金属氧化层半导体场效应晶体管、N沟道增强型、超大密度单元、极小的RDS(ON)

MEM2302-N参数
 

  制造商
  产品种类
  金属氧化层半导体场效应晶体管
  产品特性
  N沟道增强型、超大密度单元、极小的RDS(ON)
  模式
  N-channe
  漏源电压VDS
  20V
  栅源电压VGS
  8V
  漏极电流ID
  3A
  超低内阻
  22mΩ
  封装
  SOT23/SOT23-3
  代换型号
  /


MEM2302-N概述
 

MEM2302-N系列N沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM2302-N这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2302-N适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路,这种低损耗可采用小尺寸封装。


MEM2302-N引脚图/引脚功能

 南京微盟MEM2302-N引脚图/引脚功能


MEM2302-N应用领域
 

●  移动电话、手机
●  MID
●  GPS
●  直流/直流转换器
●  负荷开关
●  电源管理
●  电池保护 
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